在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要对晶圆进行减薄，厚度
2022-07-15 12:01
本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒
2022-03-29 14:56
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片
2023-05-09 10:20
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高
2025-01-06 14:51 广州万智光学技术有限公司 企业号
英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
此文先重点介绍，什么是车规等级芯片，以及一颗芯片到底要经历哪些验证才可以装车并称之为车规等级芯片。
2023-08-08 11:50
一块晶圆经过数个月的加工，在指甲盖大小的空间中集成了数公里长的导线和数以亿计的晶体管器件，经过测试，品质合格的晶片会被切割下来，剩下的部分会报废掉。千挑万选后，一块真正的芯片就这么诞生了。
2018-09-08 10:41
在说明AMD 7nm处理器和Intel 7nm处理器的分别之前，我们必须了解一点就是，由于10nm的难产，Intel在7nm工艺上远远落后于AMD，如果是在7
2018-07-23 10:04
