晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 各位大侠：有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水，请告知或提供联系方法。谢谢！！！本人的QQ号码是：414615292
2012-08-08 14:51
互连 等。1）自由空间光互连技术通过在自由空间中传播的光束进行数据传输，适用于芯片之间或电路板之间这个层次上的连接，可以使互连密度接近光的衍射极限，不存在信道对带宽的限
2016-01-29 09:17
。经过近年的研究,一些用于光互连的分立器件的特性已经接近于设计的指标,但是,对于分立器件的集成,至少在今后很长时间内,还是以采用混合集成的方法为主。2）基于与硅基的集成电路技术的兼容和成本等考虑,仍然会
2016-01-29 09:23
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
对电路图形的导线密度有着重要影响。铜箔薄，蚀刻时间短，侧蚀就很小；反之，侧蚀就很大。所以，必须根据设计技术要求和电路图形的导线密度及导线精度要求，来选择铜箔厚度。同时铜的延伸率、表面结晶构造等，都会
2013-10-31 10:52
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的
2021-07-19 11:03
的对准问题特别突出。虽然有很多的相关技术如有源和无源对准、自对准等,但都不是很理想。而且,很多的光互连技术是基于混合集成,光电芯片的单片集成困难很大。因此,
2016-01-29 09:21
1.介绍光伏技术理想的特点：如其环境兼容性、光伏组件的成本降低、安装时间短和维护成本低。这些保护装置在某些情况下无法检测故障，这是由于光伏阵列的故障行为依赖于故障位置、
2021-07-07 06:55
