一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路
2020-07-07 14:22
，光刻工艺，蚀刻工艺，离子注入工艺，化学机械抛光，清洗工艺，晶圆检验工艺。 后道工序包括组装
2024-12-16 23:35
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31
，三合一工艺平台，CMOS图像传感器工艺平台，微电机系统工艺平台。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻胶:感光树脂，增感剂，溶剂。 正性和负性。
2025-03-27 16:38
介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺
2012-01-12 10:51
操作，并具备对PECVD或LPCVD工艺优化的能力； 4、 熟悉光刻工艺、湿法刻蚀；离子蚀刻(RIE, ICP etc)者优先;5、熟悉计算机操作，具备相关专业英语阅读能力； 6、工作认真细致、有
2012-12-19 22:42
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“
2025-04-02 15:59
