二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36
1. 引言 镀膜技术是一种在基材表面形成薄膜的技术，广泛应用于光学、电子、机械、建筑等领域。二氧化硅作为一种常见的无机材料，因其良好的光学性能、化学稳定性和机械强度，在镀膜技术中得到了广泛应用
2024-09-27 10:10
二氧化硅它是属于光纤的主要制作材料
2021-12-21 15:30
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同时保持二氧化硅损
2022-02-15 11:25
背景二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蚀性、耐潮湿性和介电性能强等优点，因此二氧化硅薄膜在半导体行业中可以用作器件的保护层、钝化层、隔离层等。 PECVD即等离子体增强化学的气相沉积法是借助微波或射频等使
2020-09-29 15:07
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华林科纳使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏
2021-12-28 16:38
缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工
2022-03-10 16:43
二氧化硅薄膜实现增透的原因主要涉及以下几个方面： 1. 折射率匹配 折射率特性 ：二氧化硅（SiO₂）的折射率相对较低，这使得它能够作为一层有效的增透膜（或称为减反射膜）。当光线从一种介质进入另一种
2024-09-27 10:22
介绍 硅或二氧化硅已被用作牺牲层来制造独立式结构，例如微机电系统(MEMS)中的梁、悬臂和隔膜。传统的含水HF已经广泛用于蚀刻二氧化硅牺牲层，因为它成本低廉。然而，当具有高纵横比的结构在含水
2022-05-23 17:01
关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 我们江苏华林科纳研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218
2022-01-04 14:39
