二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36
1. 引言 镀膜技术是一种在基材表面形成薄膜的技术，广泛应用于光学、电子、机械、建筑等领域。二氧化硅作为一种常见的无机材料，因其良好的光学性能、化学稳定性和机械强度，在镀膜技术中得到了广泛应用
2024-09-27 10:10
二氧化硅它是属于光纤的主要制作材料
2021-12-21 15:30
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同时保持
2022-02-15 11:25
背景二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蚀性、耐潮湿性和介电性能强等优点，因此二氧化硅薄膜在半导体行业中可以用作器件的保护层、钝化层、隔离层等。 PECVD即等离子体增强化学的
2020-09-29 15:07
在集成电路生产过程中，晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象是一个常见但复杂的问题。每个环节都有可能成为晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的诱因，因此需要在生产中严格控制每个工艺参数，尤其是对边缘区域的处理，以减少这种现象的发生。
2025-07-09 09:43
电流的极端规模集成。在这个过程中，固相氮化硅(Si3N4)层在部分二氧化硅(SiO2)沉积中起到掩模的作用。通过这种沉积，形成了由数百个交替堆叠的Si3N4和二氧化硅原
2021-12-28 16:38
二氧化硅薄膜实现增透的原因主要涉及以下几个方面： 1. 折射率匹配 折射率特性 ：二氧化硅（SiO₂）的折射率相对较低，这使得它能够作为一层有效的增透膜（或称为减反射膜）。当光线从
2024-09-27 10:22
缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所
2022-03-10 16:43
