IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17
有据可查的是，与平面晶体管相比，从16nm/14nm开始的FinFET技术大大增加了必须提取的寄生值的数量。这些类似3D架构的鳍片会产生许多电容值，必须提取这些电容值才能准确模拟电气行为，并最终
2023-05-25 14:23
芯片的不同分类方式 按照处理信号方式可分为模拟芯片和数字芯片。 按照应用领域可分为军工级芯片、工业级芯片、汽车级
2023-11-08 11:12
半导体智库，中国半导体资料库。经过小编们彻夜不眠，我们终于收集并整理了超过18G全网最全的半导体学习资料。包括芯片制造、芯片设计、封装、电子工程、微电子学相关等全套资料！只有你想不到，没有我们办
2019-07-08 15:11
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
在计算机芯片的世界中，许多参数都是 “ 越大越好 ”。比如更多的内核、更高的 GHz 主频、以及更大的浮点运算能力。不同的是，在工艺制程上，整个行业都在极力向更微小的目标前进。从 10nm 到 7nm，直至
2019-12-02 16:41
国内的半导体芯片对进口依赖非常高，特别是高端的内存、闪存、处理器等芯片，国内的技术落后，还不能完全国产替代。国内半导体在制造领域是落后最多的，很多人都知道光刻机在芯片生产中的的重要性，荷兰ASML公司目前垄断了高端光
2018-12-04 14:24
Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59
