• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 专业过压保护器件生产商---晟芯微电子有限公司

    Senchip成立于1999年,专业从事过电压保护器件和保护集成电路的设计、研发与销售,是国内为数不多拥有前道芯片线、后道封装线的生产制造,公司拥有自主知识产权。Secnhip于10年在深圳成立

    2014-09-13 22:55

  • 嵌入式主板比较常见的两大

    。标准的嵌入式系统架构有两大体系,RISC处理器和CISC处理器体系。嵌入式主板分为比较常见的两大类:1、基于X86的嵌入式主板,Intel的X86 处理器就属于CISC体系,(一般使用INTEL、AMD、威盛、或其他产家的...

    2021-12-16 06:41

  • 伺服电机有哪两大类别

    伺服电机分为交流伺服和直流伺服两大类。交流伺服电机的基本构造与交流感应电动机(异步电机)相似。在定子上有个相空间位移90°电角度的励磁绕组Wf和控制绕组WcoWf,接恒定交流电压,利用施加到Wc上

    2021-06-28 09:45

  • 低成本AT2401C无线功放芯片资料

    近期中科微推出一款功放芯片AT2401C完全兼容RFX2401C超强性能PIN对PIN完全兼容。堪比一头美洲豹强势打入市场并受到广大生产商欢迎。由于无线蓝牙产品在市场的竞争非常大,导致生产商不得已

    2018-10-13 14:24

  • ADC主要两大测试指标及分享方法

    指标和动态指标类:静态指标,包括INL、DNL;动态指标,主要是基于SFDR,在此基础之上计算的ENOB(有效位数)。尽量言简意赅吧。

    2019-07-08 07:15

  • 基于cortex系列芯片采用的内核

    初始STM32标准库因为基于cortex系列芯片采用的内核都是相同的,区别主要为核外的片上的差异(片上外设主要有芯片生产商来定)。这些差异却导致软件在同内核,不同外设的芯片

    2021-08-11 06:02

  • 绕线机两大绕线技巧及探讨

    `一、使用绕线机首先必需了解对被绕物之线材的种类特性,圈数之几多以及外观材质,环绕纠缠速度。  1、如自粘线,漆包棉线等,所设定之线径要增大良多,因外皮不太滑腻,较无惯性特点。  2、细线环绕纠缠速度不要太慢,但必需用慢速爬升启动,以免将线材拉断。  3、粗线则速度不宜过快(超速),但必需注意中低速扭力是否足够。  4、利用铝线时请注意,涨力要调至比划一粗细的铜线小良多,以免线径拉细,外绝缘漆爆裂,影响产品的质量。  5、利用铝线时因涨力减小,所设定之线径要适当增大。连系本身的涨力需要可以少走一些过线轮。  二、被绕物之[型状]与排线器之凹凸和出线距离有相当大的关系:  1、方型被绕物速度不要太快,中间会有圆凸不服整,影响排线整齐。  2、被绕物与排线器之高度要适当,太低线容易陷入下面一层,太高则会有跳线现象。  3、排线器与被绕物之出线距离不宜太远,会影响排线随耦之精确度。  4、排线器之出线松紧,亦关系着绕线及排线标致与否。`

    2018-10-18 14:51

  • iPhone 无线充电怎办到? 两大技术是关键

    动手机供应采用玻璃或是陶瓷机壳设计,机壳制造也带动 PDC 工法(physical direct connection)普及化。Patently Apple 先前指出,苹果揭露新一代陶瓷材质 iPhone

    2017-03-30 14:56

  • 两大关键设计教你怎么提升逆变效率

    问题进行探讨,帮助大家掌握提高逆变效率的关键因素。  提高光伏逆变效率的决定因素主要有点,一点是将直流电流转换成交流正弦波时,需使用功率半导体的电路对直流电流作开关处理,这时功率半导体发热会导致产生

    2016-01-11 14:16

  • 晶振良好的温度特性两大利势

      晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡,是个5次函数关系,而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的,如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化,会带来温度补偿超前或滞后,导致频率晃动加上,短稳、抖动指标都将恶化,而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。  在晶振通电稳定后,晶体的老化漂移呈现非常有规律且重复性非常好的类抛物曲线,采取简单的线性补偿就可以提升1~2个数量级。如要对晶振老化漂移优化,需要得到晶振在上级时钟良好、时钟板处于锁定状态下的漂移,通过读取锁定电压值即可。  需要特别注意的是,这个锁定值会在晶振老化漂移的基础上叠加晶振温度特性的影响,如果晶振温度漂移特性超过老化漂移时,即便采取平滑手段也很难得到老化真正的漂移特性,或者得到的不够准确,也会带来晶振老化优化提升不足。  总之,晶振良好的温度特性不仅可以极大减小晶振受温度影响的漂移量,也可以实现晶振老化优化2个数量级。

    2013-12-17 16:10