从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限,到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电,所以
2016-10-21 14:46
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
2025-04-16 10:17
芯片的不同分类方式 按照处理信号方式可分为模拟芯片和数字芯片。 按照应用领域可分为军工级芯片、工业级芯片、汽车级
2023-11-08 11:12
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
在计算机芯片的世界中，许多参数都是 “ 越大越好 ”。比如更多的内核、更高的 GHz 主频、以及更大的浮点运算能力。不同的是，在工艺制程上，整个行业都在极力向更微小的目标前进。从 10nm 到 7nm，直至
2019-12-02 16:41
在目前市面上常见的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm这4种制程为主，每种制程根据生产工艺不同还衍生出很多版本，比如28
2016-05-18 10:52
Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59
本文将详细介绍电源测试中的极限测试，包括模块输出电流极限测试、静态高压输入、温升极限测试、EFT抗扰性测试、温度冲击强化试验、低温步进试验、高温步进试验、绝缘强度极限试
2014-03-04 11:54
