根据晶体凝固生长与位错形成、运动与增殖的理论，多晶硅锭中位错存在两种来源：原生和增殖。
2024-03-27 11:09
密排六方的位错类型，根据伯氏矢量方向与C轴夹角可分为a位错、c位错、c+a位错。在此，为了能快速理解并分析，整理了两个问题，希望能帮助到大家。
2023-11-25 09:57
材料差异： 硅光芯片主要使用硅作为材料，而传统芯片则使用硅晶体。硅光
2024-07-12 09:33
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓
2024-01-10 10:08
设含位错的晶体为简单立方晶体，在其晶面ABCD上半部存在多余的半排原子面EFGH，这个半原子面中断于ABCD面上的EF处，它好像一把刀刃插入晶体中，使ABCD面上下部分晶体之间产生了原子错排，故称为“刃型位错”，多余
2023-12-02 11:40
本文介绍了在芯片制造中的应变硅技术的原理、材料选择和核心方法。
2025-04-15 15:21
硅光集成芯片是一种基于硅基的光电子大规模集成技术，以光子和电子为信息载体，具有许多独特的优势和应用领域。
2024-03-18 15:21
位错密度为单位体积内位错线的总长度，其数学表达式
2023-12-09 10:38
硅光是以光子和电子为信息载体的硅基电子大规模集成技术，能够突破传统电子芯片的极限性能，是5G通信、大数据、人工智能、物联网等新型产业的基础支撑。光纤到硅基耦合是
2023-08-15 10:10
最近收到老师同学们的许多问题，其中大家最想要了解的问题是“如何在透射电镜下判断位错类型(螺位错、刃位错、混合位错)”。在此，为了能快速理解并分析，我整理了三个问题，希望
2023-11-13 14:37
