h,i,j,k,l,m,n的ascii码值
2009-06-28 11:47
N9H30K41I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰
2020-02-06 09:02
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力，广泛适用于各类
2025-10-31 17:36 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-04 15:22 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
2025-11-05 12:10 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
ch32v103c8t6可以CH340N下载吗 CH32V103C8T6是一种针对ESP32芯片设计的开发板，而CH340N则是常见的USB转串口芯片，它可以方便地将
2023-08-22 15:19
N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸
2020-02-06 09:09
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性，适用于
2025-11-11 09:18 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富
2020-02-06 09:13
N9H20K31N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠8 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边
2020-02-06 09:11
