EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号
### AP13N50I-VB 产品简介AP13N50I-VB是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO220F,采用平面结构技术。该器件适用于中高压应用,具有较高的漏
2024-12-16 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 I100N50X4B 是一款端接器,频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AP11N50I-VB MOSFET 产品简介AP11N50I-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET,适用于需要处理高电压的电子应用。其采用 TO220F
2024-12-16 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息:1. 产品简介: 05N50I-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)
2024-07-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11N50I-VB TO220F 产品简介11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO220
2024-07-05 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导
2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N50I-HF-VB MOSFET 产品概述AP09N50I-HF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高压应用场
2024-12-16 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP05N50I-VB 是一款高性能的单N-沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。该器件专为高效功率转换和高可靠性应用而设计,具备650V的耐压和7
2024-12-16 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号