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型号：EP4CE10<b class='flag-s-7'>F17I7N</b> 品牌：

EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL

2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号

型号：AP13<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### AP13N50I-VB 产品简介AP13N50I-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO220F，采用平面结构技术。该器件适用于中高压应用，具有较高的漏

2024-12-16 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>I100N50X</b>4B 品牌：

TTM Technologies 的 I100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：AP11<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### AP11N50I-VB MOSFET 产品简介AP11N50I-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET，适用于需要处理高电压的电子应用。其采用 TO220F

2024-12-16 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：05<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息：1. 产品简介：  05N50I-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）

2024-07-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：09<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导

2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：11<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### 11N50I-VB TO220F 产品简介11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220

2024-07-05 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP09<b class='flag-s-7'>N50I</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP09N50I-HF-VB MOSFET 产品概述AP09N50I-HF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高压应用场

2024-12-16 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EP4CE115<b class='flag-s-7'>F23I7N</b> 品牌：

原装现货供应 EP4CE115F23I7N支持验货、假一罚十、诚信下单欢迎质询

2023-02-22 15:30 誉诚实业 企业号

型号：AP05<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AP05N50I-VB 是一款高性能的单N-沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。该器件专为高效功率转换和高可靠性应用而设计，具备650V的耐压和7

2024-12-16 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号