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型号：<b class='flag-s-7'>I100N50X4B</b> 品牌：

TTM Technologies 的 I100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>T493D476K020CH</b>6420 概述 品牌：

T493D476K020CH6420 概述 T493D476K020CH6420 是一款由 KEMET 公司生产的钽质固体电解电容器。 该电容器具有以下主要特性:额定电容值为

2024-04-02 23:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：EP4CE10F17<b class='flag-s-7'>I7N</b> 品牌：

EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL

2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号

型号：05<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息：1. 产品简介：  05N50I-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）

2024-07-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP02<b class='flag-s-7'>N60I</b>-VB 品牌：微碧

### AP02N60I-VB 产品简介**型号：** AP02N60I-VB  **封装：** TO220F  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-13 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP13<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### AP13N50I-VB 产品简介AP13N50I-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO220F，采用平面结构技术。该器件适用于中高压应用，具有较高的漏源极电压和稳定的性能

2024-12-16 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM40<b class='flag-s-7'>N04-30DE-T</b>1-PF-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：AM40N04-30DE-T1-PF-VB**型号：** AM40N04-30DE-T1-PF-VB  **封装：** TO252  **结构：** 单N

2024-11-29 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：09<b class='flag-s-7'>N70I</b>-A-VB 品牌：微碧

### 产品简介09N70I-A-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET，采用了平面工艺（Plannar Technology）。它具有650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门极-源极

2024-07-04 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5CEBA4U15<b class='flag-s-7'>I7N</b> 品牌：

5CEBA4U15I7N：高性能电子元器件解析在现代电子技术中，选择合适的电子元器件是设计和开发高性能产品的关键。今天，我们将重点介绍型号为 5CEBA4U15I7N 的电子元器件，分析其产品详情

2024-09-27 16:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AP11<b class='flag-s-7'>N50I</b>-VB 品牌：微碧

### AP11N50I-VB MOSFET 产品简介AP11N50I-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET，适用于需要处理高电压的电子应用。其采用 TO220F 封装，具备高电压承载能力

2024-12-16 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号