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本文以某一型号N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路为例，进行静态、动态和温度特性分析，并且与理论计算结果对比，得出分压-自偏压共源放大电路的Mult

2011-08-11 11:34

分压-自偏压共源放大电路的Multisim仿真研究

2015-11-04 11:02

AB类输出级精度不高可能有下列几个原因： 　　·栅极阈值电压变化与VGS温度系数变化引起的MOSFET与双极管间相对温度系数的失配。 　　·输出器件与检测器件间耦合的延

2009-01-18 22:05

自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。

2010-04-16 10:24

直流偏置电路：自偏压电路，分压式偏压电路

2009-06-22 23:14

有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区，选择直流工作点为VDS=5V，IDS=0.8A，VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得，偏置电路可有两种形式：自偏压电路和分压式自

2017-01-12 16:17

自偏压电路比较简单，但是当静态工作点确定之后，VGS与ID就确定了，因而R的选择的范围很小。

2015-04-01 14:15

下图显示了在一个不对称电极等离子体源中的电压情况，这两个电极具有不同面积。电流的连续性将产生所谓的自偏压，即在较小的电极上形成的负偏压。鞘层电压取决于两个电极面积的比例（见下图）。

2022-12-19 15:11

在ICP反应室中加入射频偏压系统就可以产生自偏压并控制离子的轰击能量。由于在高密度等离子体中的离子轰击会产生大量的热能，因此必须有一个背面気气冷却系统和静电夹盘控制晶圆的温度。

2023-01-15 14:45