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型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源极

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5803<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电压

2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4913<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源

2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4809<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (V

2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：±20V**- **

2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4857<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：4857NG-VB**4857NG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能量转换和高可靠性的电子

2024-11-12 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：3808<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介3808NG-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件具有 30V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS

2024-11-06 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号