### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
XP1080-QU-0N00放大器XP1080-QU 是一款四级 37.0-40.0 GHz 封装的 GaAs MMIC 功率放大器,具有 25.0 dB 的小信号增益和 +38.0 dBm 输出
2022-12-06 20:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4904NG-VB 是一款 TO252 封装的单通道 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,具有高漏源电压和极低导通电阻特性。适用于需要高效能源管理和电源开关控制
2024-11-12 13:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4863NG-VB 是一款 TO252 封装的单通道 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,具备高漏源电压和极低导通电阻特性。适用于需要高效能源管理和电源开关控制
2024-11-12 13:36 微碧半导体VBsemi 企业号