电子发烧友
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现代集成电路半导体器件书，胡正明
2021-09-24 01:09
今年得奖者为美国加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他也曾是台积电前技术长，主办单位表示，胡研发的3D鳍式电晶体（FinFET），突破物理极限，使元件更小，能源使用效率提
2016-12-30 07:41
2019-11-16 15:05
2018年三星、台积电将量产7nm工艺，未来的5nm甚至3nm工艺也露出了曙光，预计在2020年之后开始量产。多年来业界一直在追求半导体工艺不断降低线宽，不过在FinFET晶体管技术发明人胡正明教授看来，线宽微缩总有极限，可以从其他方面推进集成电路发展，比如能耗方
2018-06-02 11:11
日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。
2017-01-13 09:27
半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57
作为摩尔定律的指标性人物，胡正明不仅是延续定律的“推手”、发明FinFET与FDSOI的科学家，同时也是前瞻行业未来的“预言者”。胡
2018-03-15 09:31
本文主要介绍了集成电路发展十大人物，分别有肖克利、巴丁、布拉顿、杰克·基尔比、罗伯特·诺伊斯、琼·赫尔尼、戈登·摩尔、安迪·格罗夫、胡正明以及张忠谋。
2018-09-06 18:26
FinFET技术在半导体制程发展到22nm~5nm时发挥了重要的作用。这项技术最早是由加州大学伯克利分校的胡正明在1999年提出来的，他也因此被称为“FinFET之父”。
2020-11-11 15:58
“不必担心‘摩尔定律’走到尽头，因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美国举行的“新思科技产品使用者研讨会”上指出，新的电晶体概念能够为芯片产业点燃持续发展数
2016-05-11 09:24
