肖特基势垒二极管是一种利用称为肖特基势垒的现象的二极管，其中当半导体和金属接合时，电流仅沿一个方向流动。由于其结构不同于一般二极管的P型/N型半导体制成的PN结，因此其
2022-03-30 15:05
肖特基势垒二极管（SBD）是一种基于金属-半导体接触的二极管，而非传统的PN结。这种特殊的结构赋予了SBD独特的电气特性，使其在高频和高效率的电子电路中具有重要的应用。 Si-SBD（硅
2024-02-23 11:30
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的掺杂硅。SB MOSFET 的一
2022-07-29 10:42
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10
为了比较，研究人员还制造出没有鳍结构的Ni / Pt肖特基二极管。目前的密度是根据设备面积而不是翅片面积来计算的。两种设备的理想因子为1.08。沟槽SBD的肖特基势垒高度为1.40eV，而常规器件的肖特基势垒高度为1
2018-12-13 16:47
SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。
2023-04-06 09:37
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势
2024-10-22 10:37
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
2024-11-05 15:24
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
2018-08-31 14:40
