本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
上一节，我们已经介绍了基本的SQL查询语句，常见的SQL注入类型，DVWA靶场演示SQL注入。学习了上一节我们可以做到执行任意SQL语句，主要可以对数据库的数据进行操作，但是不能对服务器和应用进一步控制，本节就介绍下在有sql
2022-09-21 14:45
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19
SQL注入漏洞作为WEB安全的最常见的漏洞之一，在java中随着预编译与各种ORM框架的使用，注入问题也越来越少。新手代码审计者往往对Java Web应用的多个框架组合而心生畏惧，不知如何下手，希望通过Mybatis框架使用不当导致的SQL
2022-10-17 11:16
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20
人只有两只耳朵，为什么需要5.1、7.1声道，甚至VR中的spatial audio?
2017-02-04 13:44
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中
2023-07-07 09:51
将高频能量从同轴连接器传 递到印刷电路板（PCB）的过程通常被称为信号注入，它的特征难以描述。能量传递的效率会因电路结构不同而差异悬殊。PCB 材料及其厚度和工作频率范围等因素，以及连接器设计及其
2018-02-14 07:55
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
2024-11-09 11:09
