场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表1
2009-08-22 16:01
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的流动路径。对于P沟道场效应管而言，其电流方向具有独特性，下面将详细阐述其电流方向及其背后的物理机
2024-09-23 17:22
N沟道结型场效应管的结构 结型场效应管的结构示意图及其符号如图4-1所
2009-09-16 09:31
N沟道结型场效应管（N-Channel Junction Field Effect Transistor,
2024-09-23 16:32
自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道
2010-04-16 10:24
N沟道结型场效应管的工作原理 (1)Ugs对导电沟道和D i 的控制作用当Ugs= 0时，导电
2009-09-16 09:33
