场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N
2024-01-30 11:38
耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“
2015-06-15 18:03
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽
2023-05-16 14:24
全部采用N沟道场效应管的推挽功效说明。
2021-04-10 09:52
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子
2024-01-30 11:51
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表1
2009-08-22 16:01
