判断集电极和发射极的正偏与反偏，主要依赖于对三极管（双极型晶体管，BJT）工作原理的理解，以及具体电路中电压和电流的分布
2024-08-15 15:45
发射结正偏：基极电压大于发射极电压集电结反偏：三极管在正常工作状态时，加在集电极上的电压方向与其电流方向相反。在放大电路中be结
2017-11-29 14:18
根据Ucb的电压大于0则集电结反偏；2）Ubc（有方向，不是Ucb）的电压大于0则集电结正偏。正
2017-11-29 14:48
自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。
2010-04-16 10:24
功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中，它们用作开关。然而，在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中，功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当 VGS=0V 时作为
2022-09-11 09:11
偏馈天线是相对于正馈天线而言，是指偏馈天线的馈源和高频头的安装位置不在与天线中心切面垂直且过天线中心的直线上。因此，就没有所谓馈源阴影的影响，在天线面积，加工精度，接收频率相同的前提下，
2017-12-12 19:42
衬偏调制,衬偏调制是什么意思 在一般情况下，我们都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响，都是假设衬底和晶体管的源极相连，即VBS (Bulk-Sourc
2010-03-23 09:35
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXY
2021-05-27 12:18
概述IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。测试台是专为
2018-06-20 18:46
直流LED的顺偏特性与逆偏特性分析 半导体材料有一个非常有趣的特性，就是所谓的载子；载子分为两类：一类为电子，带负电；
2009-12-29 09:16
