和滤波器等模拟电路。MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点，例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。按照形式划分，MOSFET有增强型和耗尽
2022-09-13 08:00
SMPS的输入电压工作范围有限。或者，可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法，如图4所示。耗尽型
2023-02-21 15:46
MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的
2023-06-28 18:17
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，
2019-04-08 03:57
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXY
2021-05-27 12:18
功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中，它们用作开关。然而，在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中，功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当 VGS=0V 时作为
2022-09-11 09:11
。MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点，例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。MOSFET有增强型和耗尽型
2023-07-05 14:55
本内容提供了两种常见的MOSFET驱动电路
2011-09-23 10:03
N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N
2009-09-16 09:41
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽
2024-05-12 17:19
