74HC14是施密特触发器。正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。反向阈值指输入电压由高到低变化输出
2018-10-24 09:30
分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42
的情况。在亚阈值区，MOSFET器件的电流呈指数增长的特性，而非线性关系。 MOSFET中的阈值电压是通过器件的制造工艺来调整和控制的，阈值电压决定了MOSFET转换开
2024-03-27 15:33
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，从而分析其对晶体管的阈值电压的作用。
2019-06-18 17:19
阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为
2017-11-27 17:18
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子学中极为重要的器件之一，广泛应用于集成电路、电源管理、信号处理等多个领域。其核心特性之一便是其阈值电压（Threshold Voltage
2024-07-23 17:59
此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。
2023-02-09 14:26
影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值电压是决定其工作状态的重要参数，影响着其
2023-09-17 10:39
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为
2023-03-10 17:43
MOS管的阈值电压（Threshold Voltage）是一个至关重要的参数，它决定了MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通与截止状态，对MOS管的工作性能和稳定性具有深远的影响。以下是对MOS管阈值电压的详细解析，包括其定义、影响因素、测量方法以及在实际
2024-10-29 18:01
