LTC®2903-1 可监视多达 4 个电源电压。公用复位输出保持低电平,直到所有 4 个输入彼此一致的时间达到 200ms 为止。电压门限可在整个温度范围内保持 ±1.5% 的准确度 (相对于被
2023-04-18 15:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AUF2903Z-VB 产品简介AUF2903Z-VB 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装在 TO220 封装中。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够承受高达
2025-01-02 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF2903ZSTRLP-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263,采用Trench技术。该MOSFET具备极低的导通电阻和高电流处理能力,特别适合
2025-09-03 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF2903ZSPBF-VB 产品简介**IRF2903ZSPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。它基于 Trench 技术设计,具备
2025-09-03 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF2903ZSTRRP-VB 产品简介IRF2903ZSTRRP-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,封装形式为 TO263。采用先进的 Trench 技术,这款
2025-09-03 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF2903ZS-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。此 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,设计用于高电流应用,具有
2025-09-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF2903Z-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220,并采用了先进的沟槽技术。它具有极低的导通电阻和极高的电流处理能力,专为高功率、高效能的开关
2025-01-03 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF2903ZS-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,专为高电流和低电压应用设计。其最大漏源电压为 30V,能够处理高达 260A 的漏极电流
2025-01-03 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号