本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
₂融合）与中间层键合（如高分子、金属）两类，其温度控制、对准精度等参数直接影响芯片堆叠、光电集成等应用的性能与可靠性，本质是通过突破纳米级原子间距实现微观到宏观的稳固连接。
2025-08-01 09:25
芯片键合，作为切割工艺的后道工序，是将芯片固定到基板（substrate）上的一道工艺。引线键合（wire bonding）则作为
2023-11-07 10:04
打线键合就是将芯片上的电信号从芯片内部“引出来”的关键步骤。我们要用极细的金属线（多为金线、铝线或铜线）将芯片的焊盘（bond pad）和支架（如引线框架或基板）之间做
2025-06-03 18:25
电线(电信号的传输路径)的方法被称为 引线键合(Wire Bonding) 。 其实，使用金属引线连接电路的方法已是非常传统的方法了，现在已经越来越少用了。 近来，加装芯片键合(Flip Chip
2023-03-13 15:49
上一节，我们已经介绍了基本的SQL查询语句，常见的SQL注入类型，DVWA靶场演示SQL注入。学习了上一节我们可以做到执行任意SQL语句，主要可以对数据库的数据进行操作，但是不能对服务器和应用进一步控制，本节就介绍下在有sql
2022-09-21 14:45
