RT-UFL 项目开发过程所有疑难点及其解决方法，和大家分享下载算法设计背后的奥秘。 本篇是开发笔记第一篇，咱们重点聊聊这个项目...
2021-12-21 07:19
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 首先要准备好平台：1.三相208VAC，25A电源；自来水（用于RFG2000冷却）2.假负载（50欧2500W美国bird
2012-08-03 11:25
`Nano30传感器是由美国PAC公司生产，适应小型石材试块的裂纹扩展破坏检测、金属小试样的金属裂纹检测。湖南恩递替科技有限公司提供，QQ:2774717249谐振点灵敏度V/(m/s):62dB
2020-04-26 16:39
美国PPS触觉传感器有限公司 触觉传感器 010-82257646 mgpps@yahoo.cn 压力分布图系统（PPS）根据该特性，通过具有专利的类似于弹簧的可压缩电介质基体，分开电极构造其触觉垫
2009-12-16 11:05
美国是全球三大加密货币交易市场之一，火币正在与美国独家战略伙伴HBUS一起积极开拓美国市场，目前HBUS已经获得MSB牌照、以及12个州的MTL牌照，可在相关地区开展合规业务。 （
2020-06-01 14:27
` 随着当下社会的飞速发展，电子产品已经逐渐与人不可分割，众所周知在生产电子产品的同时，需要用到TVS管，那究竟为何要用到TVS管，TVS管在工作过程中与电压和电流到底有何奥秘？ TVS管是普遍
2019-02-15 11:30
TVS管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，TVS管可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。 TVS管和稳压管一样，也是反向应用的。其中VR称为最大转折电压，是反向击穿之前的临界电压。VB是击穿电压，其对应的反向电流IT一般取值为1mA。VC是最大箝位电压，当TVS管中流过的峰值电流为IPP的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此TVS管能够始终把被保护的器件或设备的端口电压限制在VB～VC的有效区内。与稳压管不同的是，IPP的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为PM=VCIPP，且在给定最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。 其流过TVS管的电流由1mA突然上升到峰值后，然后按指数规律下降。在浪涌电压的作用下，TVS管两极间的电压由额定反向关断电压VRWM上升到击穿电压VB而被击穿。随着击穿电流的出现，流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，该过程中，TVS两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。事实上，当TVS两极受到反向高能量冲击时，它能以10-12s级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，以吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，从而有效地保护电子设备中的元器件免受ESD的损害。
2018-12-27 13:52
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2012-05-08 17:20
`推荐理由：本书由在IBM工作50余年的计算机专家撰写，全五星评价，算法领域*有影响力的著作之一 Google公司首席架构师、Jolt大奖得主Joshua Bloch和Emacs合作创始人、C语言
2018-12-24 14:08
` 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS管。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。下面在立深鑫的介绍中，也多以NMOS管为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS管可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS管。 3、MOS管开关管损失 不管是NMOS管还是PMOS管，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 4、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。`
2018-10-26 14:32
