本文开始介绍了缓冲电路的概念，其次阐述了缓冲电路的基本结构与缓冲电路的工
2018-03-26 13:40
下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
2012-03-14 09:47
电压过高，就会损坏开关管。同时，振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管两端并联缓冲电路以改善电路的性能。 缓冲
2017-12-07 09:41
推挽放大器的输出级有两个“臂”（两组放大元件），一个“臂”的电流增加时，另一个“臂”的电流则减小，二者的状态轮流转换。对负载而言，好像是一个“臂”在推，一个“臂”在拉，共同完成电流输出任务。尽管甲类放大器可以采用推挽式放大，但更常见的是用推挽放大构成乙类或甲乙类放大器。
2019-07-19 10:29
本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。
2022-05-05 10:43
对由电力电子器件构成的变换器进行电磁兼容性设计之前，必须分析预期的电磁环境，并从电磁干扰源，耦合途径和敏感设备人手，找出其所处系统中存在的电磁干扰。然后有针对性地采取措施，就可以消除或抑制 电磁干扰。电力电子器件所处电磁环境中存霖河默『r扰源主要有：1）高频开关器件快速通断形成大脉冲电流而引起的电磁干扰。
2017-05-24 14:20
开通时的关键因素是di/dt，常采用串联电感的方法进行缓冲。因此，不会出现集电极电压与集电极电流同时为最大的情况，因而不会出现最大瞬时尖峰功耗。书上图2-22所示。
2019-09-02 09:22
在谐振电容选择前，应首先确定IGBT 驱动的负载电流IGmax的最大值、外施电源V的最大值以及要求的开关管电压上升时间Tr。因缓冲电容Cl、C2配合充放电，取值相同，其大小可以根据下式计算：
2017-06-02 09:55
首先，测量MOSFET开关节点（SW）在关断时的振铃频率（Fring）。在MOSFET上焊接一个100 pF低ESR薄膜电容。增加电容，直到振铃频率为初始测量值的一半。现在，由于振铃频率与电路电感
2017-06-01 10:48
输出驱动能力和相当高的小信号和电源带宽。 这使该器件特别适合应用在高品质和专业音响设备，仪器和控制电路和电话通道放大器。如果噪音非常最重要的，因此建议使用5532A版，因为它能保证噪声电压指标。
2018-12-21 09:40
