绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进
2012-08-02 23:55
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(
2022-02-16 06:48
创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过 “导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。 关于MOSFET，将再次详细介绍。 IGBT为双极晶体管与MOSFET
2020-06-09 07:34
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以
2019-07-23 00:07
穿场效应晶体管（TFET）的工作原理是带间隧穿，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作电压可以进一步地降低。如下图中的虚线所示，在比较小的栅电压
2018-10-19 11:08
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘
2019-04-04 10:59
的种类很多，根据结构不同分爲结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅
2019-03-21 16:48
