型号: CES2321-VB丝印: VB2290品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 通道类型: P沟道- 额定电压: -20V- 最大持续电流: -4A- 导通电阻 (RDS
2023-12-19 11:17 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CES2331-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-20 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
紫光展锐T750安卓核心板基于展锐T750芯片平台，采用先进的6纳米EUV工艺制程，具备出色的性能和低功耗特性。展锐T750模块采用八核CPU架构，其中包括两个主频为2.0GHz的Arm
2024-04-24 20:06 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号
CES2312 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号
详细参数说明：- 型号: CES2362-VB- 丝印: VB1695- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 60V- 额定电流: 4A- 导
2024-01-03 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CES2305-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：- 封装类型：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 最大漏电压（Vds）：-20V- 最大漏极电流（Id）：-4A- 静态
2023-12-29 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明：**- 产品型号: CES2313-VB- 丝印: VB2355- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -30V- 最大电流
2024-02-19 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
紫光展锐S8000核心板模块是基于紫光展锐八核S8000平台开发设计的一款高性能产品。采用了6nm先进的EUV制程工艺，并搭载了开放的智能Android 13操作系统，拥有超强的画面解析力
2024-02-23 19:36 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号
型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：- **P沟道：** 该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。- **工作
2023-12-18 11:45 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: CES2323-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi封装: SOT23**详细参数说明:**- 架构: P-Channel MOSFET- 电压等级: -30V- 电流能力
2024-01-02 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
