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  • 集成电路 | 高纵横比间距下 TiN 残留物的解决方案

    讨论在标准 0.18μm CMOS 逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。

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  • 在氮化镓中利用光电化学蚀刻深层高纵横比沟槽的进展

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    2019-04-08 09:34

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    2020-01-30 14:56

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    2017-05-24 13:49