随着数字成像技术的发展，CMOS传感器因其在功耗、成本和集成度方面的优势而成为主流的图像传感器技术。然而，随着像素尺寸的减小和集成度的提高，噪声问题变得越来越突出。 CMOS传感器中的
2025-01-20 16:28
前面两期的芝识课堂，我们介绍了大量关于CMOS逻辑IC应用的一些细节事项，本期课堂让我们进入实际的应用案例，解决电路设计中的噪声问题。
2025-01-13 10:30
NEDT（噪声等效温差）是评价中波 （MWIR）和长波（LWIR）红外热像仪的关键参数。它是一个代表温差的信噪比的数值，这个温差信号等同于热像仪的瞬时噪声。因此，它近似代表热像仪可以分辨的最小温差。它是由瞬时
2020-07-15 11:52
的噪声水平。这个值在时域中经常调用，用于测量比特误码率。如果您正在设计高速PCB并需要执行串扰检查，首先应明确评估成功的具体标准。从数字器件的CMOS噪声容限值入手是
2025-03-14 18:14 深圳(耀创)电子科技有限公司 企业号
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。
2010-04-13 12:57
防止cmos输入端噪声干扰和触点抖动的几种方法 a 用CMOS施密特触妇器减小输入电
2008-03-23 11:41
用低噪声放大器的红外检波电路图
2008-12-24 21:56
目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF
2020-08-06 15:18
据麦姆斯咨询报道，近日，面向CMOS短波红外（SWIR）传感和成像应用的GeSi（锗硅）光子学技术领导者Artilux宣布，其研究团队在推进短波红外GeSi单光子雪崩二极管（SPAD）技术方面取得了突破，并被世界最负
2024-03-26 09:18
参考上面的CMOS反相器图，由于CMOS器件输入端的电压在5伏和0伏之间变化，因此PMOS和NMOS的状态将相应地不同。
2021-01-21 11:37
