掩模版的缺陷的光学检测极为困难。通常，光学检测可以获得表面缺陷和相缺陷引起的所有转印缺陷，但是由于 EUV 的多层掩模结构，使得这些缺陷被埋在多层薄膜的下面。
2022-10-24 10:48
科学家利用选择性紫外光刻实现复合纤维材料的光纤微图案化
2022-12-22 14:58
极紫外光刻的制约因素 耗电量高极紫外线波长更短，但易被吸收，可利用率极低，需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机，250W的功率，每天耗电达到三万度。 生产效率仍不
2023-06-08 15:56
近日，荷兰的光刻机制造商阿斯麦（ASML）发布2020年度财报，全年净销售额达到140亿欧元，毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻（EUV）系统的出货，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30
新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年， 仍然未能投入实用。极紫外光
2010-06-17 17:27
EUVL是下一代半导体芯片制造的关键步骤。目前唯一一家生产EUVL扫描仪组件的公司是总部位于荷兰的ASML。EUVL系统并非仅在荷兰制造，而是由在全球开发的许多模块组成，然后运送到荷兰的ASML总部进行最终组装和测试，最终交付给客户。
2023-09-11 16:42
。照明系统是光刻机的重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明、控制曝光剂量和实现离轴照明，以提高光刻分辨率和增大焦深。论文以深紫外光刻照明系统光学设计为研究方向，对照明系统关键单元进行了光学设计与仿真研究。
2023-07-17 11:02
今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。
2018-10-17 15:44
特别是，韩国公司正在迅速缩小其在极紫外光刻技术上与外国公司的差距。2019年，韩国本土提出的专利申请数量为40件，超过了国外企业的10件。这是韩国提交的专利申请首次超过国外。2020年，韩国提交的申请数量也是国外的两倍多。
2020-12-11 13:40
