索尼公司近日在日本发布了一枚新型CMOS传感器，该传感器最大的特点是采用了类似富士Super CCD一样的像素排列方式，每个感光元件都是以45度角安置的。 这种设计的主要目的是提高点位面积
2018-11-20 17:00
过去十年是CIS（CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器）飞速发展的十年，索尼的半导体部门正是借此崛起，根据Yole的报告，索尼坐稳了全球第一大CIS供
2019-08-05 08:54
卷料的塑料覆盖薄膜容易产生静电吸料，尤其是对小元件，如0201和01005，这会导致吸嘴偏离元件最佳吸取中心，从而使贴片时元件发生侧移，这会导致立碑缺陷，同时，如果编带被热封的过紧，将导致送料器
2018-09-05 16:31
索尼上市的高清数码摄像机“HDR-HC3”使用的摄影元件是“Clear Vid CMOS传感器”。包括最初发表该摄影元件时没有公开的信息，索尼此次全面介绍了新传感器的特点。 Clear Vid
2018-11-20 17:04
极低功耗：5vA8.高静电防护，HBM>正负4KV9.推挽输出 应用 1.半导体开关2.手持无线手持唤醒开关3.在低占空比应用中置换簧片开关4.手持便携式应用，蓝牙耳机等5.水表 应用磁吸蓝牙耳机PDAPDVDNBPAD PC水表各类无接触开关场合
2017-04-05 10:09
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=q/C=1
2018-04-04 17:01
索尼SUB-LVDS并行桥参考设计。许多分辨率高于720p60的索尼图像传感器不再能够使用传统的CMOS并行接口。随着IMX172（4k x 2k分辨率），IMX136（1080p），IMX104
2020-04-30 09:36
集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直、弯曲或人工焊接时，使用的设备必须接地良好。由于保护电路吸收的瞬变能量有限，太大的瞬变信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。在焊接 CMOS 管脚时，电烙铁
2018-12-13 09:47
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=q/C=1
2018-10-29 14:49
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V
2018-10-22 16:02
