索尼公司近日在日本发布了一枚新型CMOS传感器，该传感器最大的特点是采用了类似富士Super CCD一样的像素排列方式，每个感光元件都是以45度角安置的。 这种设计的主要目的是提高点位面积
2018-11-20 17:00
过去十年是CIS（CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器）飞速发展的十年，索尼的半导体部门正是借此崛起，根据Yole的报告，索尼坐稳了全球第一大CIS供
2019-08-05 08:54
索尼上市的高清数码摄像机“HDR-HC3”使用的摄影元件是“Clear Vid CMOS传感器”。包括最初发表该摄影元件时没有公开的信息，索尼此次全面介绍了新传感器的特点。 Clear Vid
2018-11-20 17:04
单节锂离子电池保护电路的改进摘要:提出了一种低成本的单节锂电池保护回路系统,采用0.6um混合信号CMOS工艺和修调技术
2009-12-02 11:58
尺寸等于或低于2µm的CMOS传感器的性能。采用严格的FMM/RCWA进行仿真，以验证微透镜的有效性。 建模任务 模拟&设置：单平台互操作性 建模技术的单
2025-04-07 08:56
索尼SUB-LVDS并行桥参考设计。许多分辨率高于720p60的索尼图像传感器不再能够使用传统的CMOS并行接口。随着IMX172（4k x 2k分辨率），IMX136（1080p），IMX104
2020-04-30 09:36
LTC1154输入引脚处于高电平激活状态，并激活所有打开时的保护和电荷泵电路。关闭销设计用于立即禁用如果出现二次故障（温度过高，等等）被检测到。LTC1154逻辑和停机输入高阻抗CMOS门是否具有ESD保护
2020-09-08 17:28
对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,
2010-04-22 11:50
第二代堆栈式CMOS 索尼IMX214 传感器IMX214是索尼公司采用最新的第四代背照式技术,继IMX135开发的第二代CMOS图像传感器;有效像素约1313万，尺寸
2014-06-09 22:28
CMOS工艺锂电池保护电路图的实现
2012-08-06 11:06
