各位大佬，小弟最近在学习论文中的米勒补偿结构时，发现增加米勒电容时会使系统的相位裕度在某些负载条件下突然上升而且会引起震荡，不知道为何？有么有大神知道为啥？
2021-06-22 06:46
差值为20dB/十倍频程。实在不理解这是什么意思，请具体解释这种补偿方法的原理，最好是举例解释？ 2、米勒补偿与极点分离，以简化电路共射放大器为例，在该共射放大器的反馈回路放置了
2024-02-01 14:19
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01
米勒平台形成的基本原理米勒平台形成的详细过程
2021-03-18 06:52
常见的相位补偿技术有如下几种？ 1、加简单滞后电容补偿，牺牲带宽以换取稳定性 2、加米勒电容补偿需要电容容量小适合于集成电路 3、加电阻电容来
2024-06-16 23:35
《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能
2025-01-04 12:30
米勒效应的影响：MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当
2025-03-25 13:37
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15
开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时ld已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS管进入电阻区，此时
2018-12-19 13:55
