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  • MOS管的米勒电容及CCS电流源模型

    在器件的手册中,会给出MOS管的寄生参数,其中输入电容Ciss就是从输入回路,即端口G和S看进去的电容,MOS管导通时的GS电容,是Cgd和Cds的并联。

    2023-01-19 16:00

  • 如何快速的清除IGBT寄生米勒电容问题呢?

    通常情况下,为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生,国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容,第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案,那么很容易造成效率的降低,而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题,工程师需要依据实际情况进行比较和判断。

    2018-05-22 09:19

  • 米勒平台形成的基本原理

    由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)

    2022-08-29 11:28

  • 利用有源米勒钳位技术有效缓解缓米勒效应

    当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期

    2021-03-15 15:01

  • MOSFET中米勒平台形成的基本原理及详细过程

    ,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进

    2022-04-19 10:28

  • 对MOS管在开关状态下的Miller效应的原因与现象进行分析

    MOS管的米勒效应会在高频开关电路中,延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性,可谓是臭名昭著,各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容

    2022-09-29 09:26

  • MCU或DSC的逻辑层输入输出口与功率电子驱动电路的接口设计

    电源级电路需要一个栅极驱动接口电路,该电路至少应具备以下功能:1. 将MCU的逻辑输出电平进行转换,在晶体管的栅极和源极间提供一个10-15V的电平。2. 在晶体管的开通和关断时提供足够大的驱动电流,以克服米勒电容的影响。

    2019-10-14 15:25

  • 详解米勒平台的米勒效应和形成原理

    在描述米勒平台(miller plateau)之前,首先来看看“罪魁祸首”米勒效应(miller effect) 。

    2019-02-02 17:08

  • MOSFET驱动器的功耗计算

    )电流产生的功耗。 从上述公式推导得出,三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值,需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET 栅极

    2024-10-29 10:45

  • 异步降压转换器的导通开关损耗

    MOSFET的栅极电荷(米勒电容)以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。

    2023-03-10 09:26