在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08
在MOS管的上下桥驱动中，有这种现象。如下图，一个管子处在米勒平台的时候，会给另一个管子的Vgs电压充电。我用的这个管子的阈值电压最小值是1.4V，这就有可能会导致上下两个管直通。这是MOS管的固有现象，只能减小，不能消除。下面分析原因。
2024-10-08 17:08
大，在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，在米勒平台附近产生栅极电压震荡。
2022-11-24 09:34
米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢
2023-11-03 14:55
从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。
2023-02-14 09:25
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
2022-08-29 11:28
开关的过程中，特别是当漏极电压发生快速变化时，栅极电压需要经历一个过渡阶段，这一阶段通常表现为栅极电压变化的“平台”部分，称为米勒平台电压。这时，尽管栅极驱动电压仍在增加或减少，但栅极电流主要用于充电或放电栅极-漏极
2025-01-07 17:38
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
2022-04-19 10:28
MOS管的3种工作状态：截止区、恒流区(饱和区)、可变电阻区，这个想必大家都知道。但光知道这个还不太够，还需要清楚进入相应工作区的充分条件。
2023-02-20 09:27
MOS管(场效应管)的本质在栅极(G)电压对漏极(D)与源极(S)间导电沟道的精准控制，作为开关器件成为电子应用的核心。原理是当栅源电压(Vgs)超过阈值电压(Vth)，沟道形成，电流流通。在实际应用，根据沟道载流子类型分为N沟道(电子导电)和P沟道(空穴导电)。合科泰为您讲解MOS管的核心应用及选型防护。
2025-06-18 13:43
