光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
1、简述开关电源现状及发展方向2、简述PCB设计步骤及注意事项3、简述设计电源需要的主要参数指标
2019-11-13 20:48
设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗
2019-07-31 06:22
请问，如果用DM8148同时采集两路cmos信号，都是1080p的。是一个用ISS另一个用VPSS吗？论坛上说可以用CAM口加上VIN0，这样的组合可以适用于1080p的cmo
2018-06-21 05:14
商业硅霍尔传感器与量子阱霍尔传感器生成的区别在哪？
2022-02-22 08:03
随着射频无线通信事业的发展和移动通讯技术的进步，射频微波器件的性能与速度成为人们关注的重点，市场对其的需求也日益增多。目前，CMOS工艺是数字集成电路设计的主要工艺选择，对于模拟与射频集成电路来说，有哪些选择途径？为什么要选择标准CMOS工艺集成肖特基二极管？
2019-08-01 08:18
最近使用MSP430F2272做一款产品，使用3V纽扣电池供电。里面有一个P沟道的CMOS管作为开关，使用IO直接驱动。但在测试的时候发现，CPU会重启。经过排查发现是IO驱动COMS管这里
2015-09-14 17:55
将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
目前应用最广泛的数字电路是什么？TTL电路和CMOS电路是什么？有哪些优点？CMOS集成电路的性能特点有哪些？为什么BJT比CMOS速度要快？
2021-04-20 06:19
