“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三个步骤有一个异常，整个光刻工艺都需要返工处理，因此现场异常的处理显得尤为关键”
2024-10-22 13:52
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到 2nm 以下，此电容的影响也会变得越来越严重，已
2024-08-02 09:14
与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进行掺杂，PMOS 的栅是p型掺杂，NMOS 的栅是n型掺杂。
2024-11-07 08:58
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水
2018-04-08 16:10
全志A40i-H主板PET_A40I-H_P01简述
2023-08-07 10:38
瑞芯微RK3568主板开发板PET_RK3568_P01简述
2023-08-08 11:41
CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semiconductor） Image Sensor，中文意思是互补性金属氧化物半导体图像传感器。CMOS 图像
2025-06-18 11:40
