， 第五次光刻—引线接触孔 第六次光刻—金属化内连线：反刻铝 CMOS工艺集成电路 CMOS集成电路工艺--以P
2011-09-23 14:43
74HC374是高速硅栅CMOS器件，引脚与低功耗肖特基TTL电（输入通道）兼容。他们是在符合JEDEC标准规定编码7A。74HC374是八进制D型触发器具有独立的D型为每个
2010-04-08 14:06
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术：
2021-07-26 08:31
。 为什么需要EUV光刻？ EUV的优势之一是减少了芯片处理步骤，而使用EUV代替传统的多重曝光技术将大大减少沉积、蚀刻和测量的步骤。目前EUV技术主要运用在逻辑工艺制程中，这导致了2019年订单
2020-07-07 14:22
芯片制造流程其实是多道工序将各种特性的材料打磨成形，经循环往复百次后，在晶圆上“刻”出各种电子特性的区域，最后形成数十亿个晶体管并被组合成电子元件。那光刻，整个流程中的一个重要步骤，其实并没有
2020-09-02 17:38
并可作永久隔层。 NR9-P 系列 负性光刻胶，具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。 NR71-P 系列 负性光刻胶，用于干法蚀刻中掩模应用并能作为永久隔层。 NR21-
2010-04-21 10:57
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑 先分享光刻的参考资料。============================2014-10-17========光刻分类
2014-09-26 10:35
面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）24、画出
2012-04-28 15:22
、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N
2012-02-24 09:39
