为什么我实际测试时，IB=100UA，IC约270UA,UCE约4V按照输出特性曲线，当UCE4V时，IB=100UA，IC应该大于10MA才对啊？？？
2019-12-13 15:41
大家好，我是刚出来打酱油的，请教各位高手，求指导。我的题目是基于labvIEW的输入输出特性曲线测试系统，我的输入自定义的，如下图所示， 我怎么使进过被测电路作用之后，由DAQ卡采集到呢？然后怎么在数据拟合呢？？？？求助求助，
2012-10-21 23:10
光伏电池最大功率跟踪1.光伏电池模型2.光伏序列输出特性3.传统MPPT算法4.GMPPT算法1）离线型2）在线型1.光伏电池模型光伏电池的理论数学模型（懒得用latex敲公式了，这里都用截图，下同
2021-07-07 07:52
`一、系统框图及测量原理三极管输出特性曲线描述的是在基极电流IB不变情况下,UCE与IC之间的关系曲线。由于示波器是一种电压测量仪器,集电极电流只有转化为电压才能由示波
2010-05-06 08:53
)（界限值)。即输入界限值以上的电压时MOSFET为开启状态。那么MOSFET在开启状态时能通过多少A电流？针对每个元件，在规格书的电气特性栏里分别有记载。表1为规格书的电气特
2019-04-10 06:20
的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。图2：M
2016-08-15 14:31
MOSFET数据表一般根据优先级显示单次电压测量时的输出电容。虽然这些参数值已足以与过去的产品进行比较，但要在当今的组件中使用这些值，就有些不合适了。因此目前需要性能更好的产品电容。
2014-10-08 12:00
芯片最底层的原理二进制运算，所以我们要用最基本的电子元件来模拟1和0，通电为1，不通电为0。接下来我们就介绍一下可以达成这样目的的元件。我们讲解一下MOSFET。我们在半导体硅里进行两种参杂，如上图
2023-02-14 15:19
区的电流，但为什么输出特性曲线上看饱和区电流小于放大区电流呢？还有一个就是，三极管即使是在饱和区，Ic不再随Ib增大而增大，但Ic还是大于Ib的，那为什么说在饱和区三极管就没有放大能力呢？两个问题。。有点懵
2019-05-15 11:18
VDS=10V、ID=1mA时定义为MOSFET的导通状态，将此时的VGS作为VGS(th)，值在3V～5V之间。顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相对于输入，输出和
2019-05-02 09:41
