刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一, 上海伯东日本 Atonarp Aston 质谱仪适用于等离子体刻蚀过程及终点监测 (干法刻蚀终点检测), 通过持续监控腔室工艺化学气体, 确保半导体晶圆生产
2024-10-18 13:33 伯东企业（上海）有限公司 企业号
表面污染情况，检查等离子清洗的效果及其影响参数。操作过程首先，将不锈钢板放在60°C的超声波清洗槽中，使用碱性清洗剂清洗15分钟，然后用去离子水彻底冲洗并干燥不锈钢
2022-06-27 11:48 佛山市翁开尔贸易有限公司 企业号
对离子源进行水冷却即可实现. KDC 160 配备了双灯丝. 在标准配置下, KDC 160 典型离子能量范围为 100 至 1200eV, 离子电流可超过 800
2024-09-13 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
实验名称：辉光放电特征及风速测量原理 研究方向：辉光放电 测试设备：信号发生器、ATA-8202射频功率放大器，热成像仪、万用表、等离子体传感器 实验过程：在等离子体形成条件和流场响应
2024-07-19 10:40 Aigtek安泰电子 企业号
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度
2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号
前言不断提高雷达和通信的工作频率正在推动测试和测量行业为表征这些较高频段信号的相位噪声提供解决方案。毫米波和更高频率的测试系统的开发对于这些研究非常重要，并将成为生产测试的关键。本文阐述了一种
2024-06-18 11:47 安铂克科技（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子
2023-05-25 10:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的
2023-05-25 10:22 伯东企业（上海）有限公司 企业号
一、案例介绍漫途为如皋市铸造型企业锅炉水循环系统安全监测进行升级改造，通过外装监测设备或者对原有监测设备进行升级改造的方式，实现了对水循环进出水管路的压力、温度、流量的实时在线监控。数据平台在线记录
2023-06-09 10:24 无锡漫途科技有限公司 企业号
成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜
2024-09-13 10:59 伯东企业（上海）有限公司 企业号
