第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体
2023-10-25 15:10
由于我国在第三代半导体材料相关研究领域起步较晚,目前在材料的自主制备上仍面临难关。同时,我国对基础的材料问题关注度不够;一旦投入与支持的力度不够,相关人才便很难被吸引。
2013-08-16 09:25
2022年9月,威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模,高导热氮化硅陶瓷基板各项理化指标到了国际上行业领军的质量水平,突破了西方先进国家在高导热氮化硅陶瓷基板的技术保护和应用产品对我国“卡脖子”难题。
2022-11-11 16:36
半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
本文首先介绍了第3代半导体主要应用领域的发展概况,其次介绍了第三代半导体
2018-05-31 14:38
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:25
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:21
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:22