第四代半导体我们其实叫超禁带半导体，它分两个方向，一是超窄禁带，禁带宽度（指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量）在零点几电子伏特（eV），比超窄禁带更窄的材料便
2022-08-22 11:10
发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器
2023-04-02 01:53
能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能，被视为下一代半导体材料的
2024-08-27 10:59
意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法
2024-10-12 11:30
意法半导体（简称ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，标志着公司在高效能半导体领域又迈出了重要一步。此次推出的第四代技术，在能效、功
2024-10-10 18:27
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10
水平。2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5
2023-03-15 11:09
有限公司（以下简称“山西烁科晶体”）实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。 山西烁科晶体总经理李斌说，“通过我们整个研究院，企业之间也是能够互通有无，带动整个生态的创新。我们现在也在积极布局第四代的
2021-05-20 09:13
随着企业计算从第三代串行标准转向第四代串行标准，我们的客户需要一台高精度示波器，支持并可扩展地进行无缝转换。DPO70000SX的最低型号为23或33GHz，其可扩充的结构提供了“升级空间“，在
2016-06-08 15:02
