由国家的复旦大学电子学院的张教授，带领种团队人员，做研发的第三类存储技术，实现了最颠覆性的一次飞跃，开创第三类的存储
2019-10-09 14:09
第三类存储技术写入速度比目前的U盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计
2018-04-16 10:00
据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失。
2020-01-17 14:41
存储技术时效性的关键，在于对电子的管控。要想传输速度快，就要让电子快速进入。而要想数据保存时间久，就要让电子牢牢锁住。复旦大学研究人员认为，要实现快速、长久的保存，存储材料应当“一部分如同一道可随手开关的门，电子易进
2019-09-02 16:45
为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门，电子易进难出，用于控制电荷输送；氮化硼作为
2018-06-01 14:24
国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。
2019-12-17 11:29
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队以《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》为题在《自然·纳米技术》在线发表文章，开创了第三类存储
2019-09-25 11:14
际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了
2018-04-24 02:07
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷
2019-11-08 11:24
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据
2018-04-13 10:05
