。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是
2019-05-06 10:04
来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32
和借鉴意义，其中关于解决有机物正极材料在电解液中的溶解、导电率偏低等问题的方法也有很多可借鉴之处。作为锂离子正极活性材料的有机化合物分子，要实现优良的电化学性能，必须考虑以下三个方面的因素: ①实现
2015-11-17 17:12
往往采用的技术上紧锣密鼓，产品上按兵不动的思路。谁也不想用自己的刀割自己的把啊！况且，由于他们对于化合物半导体材料的技术储备也不处于多么大的优势，所以三代半导体行业还涌
2017-05-15 17:09
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到
2017-06-16 10:37
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半
2021-07-27 07:58
描述该参考设计是可编程的单片 IC 解决方案，适用于单化学物或多化学物应用中对镍镉 (NiCd)、镍氢 (NiMH) 或锂离子 (Li-Ion) 电池的快速充电管理。其会选用合适的电池化学物（镍或
2018-07-23 07:01
日本京都大学2016年10月14日宣布，在插入铜的铋硒化合物超导物质中发现了一种现象：引发超导状态的两个电子组成的电子对会进行自发性排列，使组成电子对的强度在特定方向上减弱。由于这种现象类似液晶的向
2016-10-24 16:52
（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）公布了按照U.S. GAAP(美国通用会计准则)编制的截至2018年9月29日的第三季度财报。意法半导体第三季度实现净营收25.2亿美元，
2018-10-29 11:42
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
2011-10-23 22:05
