本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料进行了概述，其次介绍了第三代半导体材料应用领域及我国第三代
2018-05-30 14:27
本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代半导体材料发展面临着的机遇挑战。
2018-05-30 12:37
GaN是一种无机物质，其化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是自1990年以来常用于发光二极管的直接带隙半导体。该化合物在结构上类似于金鸡石，具有高硬度。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用于高
2023-02-15 15:31
瑞萨第三代电容式触控技术（CTSU2）自2019年推出市场，在第二代技术的基础上做了抗噪声性的大幅提升，提高了内部基准的精度，增加了低功耗和多按键并行扫描功能。
2024-06-27 14:54
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟
2018-08-20 17:26
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58
这个 第三代 NVIDIA NVSwitch 设计用于满足这种通信需求。最新的 NVSwitch 和 H100 张量核心 GPU 使用第四代 NVLink ，这是 NVIDIA 最新的高速点对点互连。
2022-10-11 09:35
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器市场快速渗透，长
2023-02-06 16:44
相比较于第二代产品，第三代N系列考虑系统的兼容性，可以较好的兼容客户现有产品，满足客户对驱动和EMI的适应性要求。F系列以其最优的开关速度，极低的栅极电荷，实现客户对高效率，高功率密度的要求。图6
2018-05-16 08:44
