第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化
2024-01-16 10:48
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要
2023-08-19 11:45
本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料进行了
2018-05-30 14:27
本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代
2018-05-30 12:37
目前，国内外碳化硅功率电子分立器件商业化产品主要有功率二极管和SiC MOSFET。SiC功率二极管分为肖特基二极管（SBD）、PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管三种。
2018-11-13 15:47
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半
2020-10-02 18:20
半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质，是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展，半导体材料经历了从第一代到
2024-10-17 15:26
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
2024-01-20 17:18
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V
2018-08-20 17:26
SiC作为第三代半导体材料具有优越的性能，相比于前两代半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱
2023-06-28 11:19
