超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-01-12 11:48
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本
2023-02-28 17:13
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体
2023-02-20 15:15
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三
2023-08-11 10:17
？到了上个世纪六七十年代，III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用，与第一代半导体一起，将人类推进了信息时代。八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的
2017-05-15 17:09
纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）
2024-06-11 16:24
半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、
2023-12-21 15:12
第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物
2024-12-05 09:37
SiC（碳化硅）器件作为第三代半导体，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏
2022-12-09 11:31
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等
2020-11-29 10:48
