本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用
2018-05-30 12:37
本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和
2018-05-30 14:27
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及
2018-11-26 16:13
GaN是一种无机物质，其化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是自1990年以来常用于发光二极管的直接带隙半导体。该化合物在结构上类似于金鸡石，具有高硬度。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用于高
2023-02-15 15:31
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代
2020-10-02 18:20
SiC作为第三代半导体材料具有优越的性能，相比于前两代半导体材料，碳化硅
2023-06-28 11:19
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求
2024-01-16 10:48
第三代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势，从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看，
2023-08-18 09:37
